動機
在網路上有人賣淘汰的 Orange Pi One 和 Orange Pi Zero,因為便宜,又收了一堆舊的 3D 印表機來改,所以就買了不少的 Orange Pi One 和 Orange Pi Zero。其中 Orange Pi One 的記憶體都是 512MB,Orange Pi Zero 則有 256MB 和 512MB。
仔細看 DDR RAM 的編號,有 K4B2G1646E 和 K4B4G1646E,前者為 8*256M = 2G (bits),後者為 8*512M = 4G (bits)。編號的其中幾個字母,可能不同,不重要。Orange Pi One 使用 2個 K4B2G1646E,總共有 512MB。若換成 2個 K4B4G1646E,則有 1GB,請參考下面的連結分享。Orange Pi One 可以只裝一個記憶晶片,但不能裝2個不同型號的芯片。
後來查 H2+ 和 H3 的規格,可支援 2GB 的記憶空間。又找到相近型號的記憶晶片 K4B8G1646Q,假如把 Orange Pi Zero 換成這個晶片,就能有 1GB 的記憶體。先買 3個來測,換了之後,確定能用。
面臨的問題是,從來沒有焊過 BGA 封裝的晶片。因此花重金買了一些設備,然後再花了一兩個星期,用沒用到的 DDR2 記憶模組來練習 拆焊,植錫,焊接。最終成功換上記憶晶片,同時發現 BGA 晶片蠻耐操的,加熱 3,4分鐘,重複 3,4遍,甚至不小心用洗板液急速冷卻,仍然正常運作。
參考
- bilibili: 内存植锡练手,给全志D1开发板换1GB内存
- YouTube: Orange Pi One RAM upgrade 1GB
K4B4G1646E / K4B8G1646Q
- Density: 4 Gb (Gigabits) / 8 Gb (Gigabits)
- Package: 96 FBGA
- Speed: 1600 Mbps (Megabits per second)
- Voltage: 1.35 V (Volts)
- Temperature: -40 to 95 °C (Celsius)
- Organization: 256M x 16 / 512M x 16
- Product Status: End of Life (EOL)
工具
- 熱風槍,不可少的工具,可以在淘寶買,指定 110V
- 助焊膏
- PCB 固定架
- 錫球,BGA 焊盤間距 0.8mm,挑選錫球直徑 0.45mm
- 植錫網,植錫架
- 洗板液
- 鑷子
植錫
現在的記憶體晶片都是 BGA 封裝,雖然買來的記憶體晶片,都已植錫,但焊接失敗,就必須拆下,重新植錫,再次焊接。因此,在焊接前,先把 BGA 的植錫和焊接功夫練好。翻找手邊的剩餘材料,發現 DDR2 的記憶模組是使用 BGA 封裝的晶片,現在又已用不上,正好用來練習。花了一個多星期時間練習,拆裝了幾條記憶模組,十幾顆晶片,慢慢掌握其中的技巧。
可以買記憶體用的小鋼網。雖然有買簡易植錫架,但後來在網路上看到有人分享的經驗,發現這樣做更好。先徒手植 2顆上去,當作鋼網的定位點,這樣就不需使用植錫架。
徒手植錫,要練一下。練成後,不用鋼網,也可以用手排錫球,植錫。但實在很費時間,只能當練功。關鍵在於,塗上薄薄一層助焊膏,可以黏住錫球。太多助焊膏,助焊膏一化開,錫球會漂走。熱風槍的風速開到最小,先用遠一點的距離吹,讓錫球先黏在焊盤上,再靠近吹,讓它整個化開,完美地吸在焊盤上。
在焊盤上均勻塗抹助焊膏,一定要用助焊膏,錫球才能黏在焊盤上。這很關鍵,不能太少,不然錫球都會黏在鋼網上。但也不能太多,不然錫球會飄。再把鋼網套上,背後可以用鋁箔紙貼住。
用鑷子一顆一顆把錫球放上去。利用助焊膏黏性,把球黏在鑷尖,再黏到焊盤上。
錫球全部擺好後,用熱風槍,380度,慢慢吹。看影片,都是 40幾秒就好。但我就是要吹到 2分鐘以上才行,不知差在那裡。但也發現,用這溫度吹個 3分鐘多,晶片也還可以正常工作,就放心地做吧。
拆焊與焊接
植球和焊接,最好有計時器,不要光憑感覺。要有耐心,常要好幾分鐘,時間不夠,錫沒全化,硬來,只會把東西弄壞,更麻煩。
拆焊,可以用 450度。PCB上的塑膠零件,用鋁箔紙保護一下,以免吹壞。注意一下小零件,不要不小心把它吹飛或撞飛。若真不幸弄飛了,要留下來,事後再焊回去。一定要等錫全化了,再把晶片夾起來,一次就要拿起來。若不幸一次不成,部分黏住,不要硬拔,會把焊盤拔壞。
再來就是把晶片焊回去,用 380度,我要吹到 3分鐘,才能焊接成功。先對 PCB 吹個一分鐘,上助焊膏,碰到就化開,可以塗抹均勻。
買來的晶片,可能不是新品,但都有植錫。可惜,我直接焊接,都會失敗。反倒是我自己植錫的,吹個 2分鐘 ~ 3分鐘,就能自動歸位。不知是不是 有鉛 和 無鉛 的差別。後來乾脆全部重新植錫再焊,比較不會失敗。
另外,影片的經驗分享,都是用鑷子輕推一下,會重新歸位,判斷錫全化呈流動狀態,為焊接成功的判斷。但手抖得厲害,一不小心就推到位置之外,也看不出塌陷的瞬間。後來發現有個影片,晶片擺得不正,錫全化呈流動狀態時,晶片自動歸正了。
我就在放晶片時,對準位置之後,稍稍把它弄歪一點,讓晶片邊緣和定位白線不會對齊。等加熱到晶片和白線對齊,就成功了。
後來,發現可以吹到 3分鐘,晶片仍是正常的,在重新植錫後,就固定吹個 3分鐘,比較保險。
好不容易,成功了,升級為 1GB 的記憶體。